|
|
Příprava řezů vzorků a jejich analýza metodou SIMS
Karlovský, Juraj ; Pechal, Radim (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
Táto práca sa zaoberá možnosťami štúdia polovodičových súčastok pomocou metódy SIMS s dôrazom na testovanie rôznych parametrov merania a rôznych spôsobov prípravy vzoriek. V rámci tejto práce bol navrhnutý a otestovaný držiak vzorky kompatibilný s používaným zariadením ToF-SIMS$^{5}$ od spoločnosti IONTOF, ktorý je schopný nakláňať vzorky o definovaný uhol voči vodorovnej rovine. Tento držiak umožňuje opracovávanie vzoriek v hlavnej komore zariadenia ToF-SIMS$^5$ bez nutnosti presunu vzorky medzi zariadeniami a držiakmi. Tento držiak bol použitý opracovaniu hrany vzorky TIGBT tranzistora a zobrazeniu hrany krátera predchádzajúceho merania. Na TIGBT tranzistoroch boli zobrazované vnútorné štruktúry preparované rôznymi spôsobmi. Ďalej boli optimalizované parametre merania tenckých vrstiev na molybdén-kremíkovom multivrstvovom R\"{o}ntgenovom zrkadle a na indiových multivrstvách v GaN, kde bol pozorovaný vplyv teploty vzorky behom merania SIMS na výsledné hĺbkové proifly.
|
|
|
SDN řízené pomocí identity uživatelů
Holkovič, Martin ; Ryšavý, Ondřej (oponent) ; Polčák, Libor (vedoucí práce)
Cílem této práce je propojení systému pro správu dynamických identit vyvíjený v rámci projektu Sec6Net s řízením SDN sítě. Pro řízení sítě je použitý kontroler Pyretic, který umožňuje tvorbu aplikací pomocí match-action pravidel. Bylo navrženo rozhraní mezi systémem pro správu dynamických identit a kontrolerem Pyretic, které bylo následně implementováno a integrováno do obou systémů. Byly vytvořeny různe případy užití týkající se bezpečnosti, směrování a účtování pro ověření správnosti konceptu. Tyto případy byly následně implementovány jako aplikace nad kontrolerem Pyretic. Všechny aplikace byly dle možností testovány v~síťové laboratoři. Hlavním přínosem této práce je zjednodušení správy počítačových sítí a zároveň poskytnutí nových možností správcům těchto sítí a v konečném důsledku i jejich uživatelům.
|
|
|
Noise, Transport and Structural Properties of High Energy Radiation Detectors Based on CdTe
Šik, Ondřej ; Lazar, Josef (oponent) ; Navrátil, Vladislav (oponent) ; Grmela, Lubomír (vedoucí práce)
Because of demands from space research, healthcare and nuclear safety industry, gamma and X-ray imaging and detection is rapidly growing topic of research. CdTe and its alloy CdZnTe are materials that are suitable to detect high energy photons in range from 10 keV to 500 keV. Their 1.46 -1.6 eV band gap gives the possibility of high resistivity (10^10-10^11 cm) crystals production that is high enough for room temperature X-ray detection and imaging. CdTe/CdZnTe detectors under various states of their defectiveness. Investigation of detector grade crystals, crystals with lower resistivity and enhanced polarization, detectors with asymmetry of electrical characteristics and thermally degenerated crystals were subject of my work in terms of analysis of their current stability, additional noise, electric field distribution and structural properties. The results of the noise analysis showed that enhanced concentration of defects resulted into change from monotonous spectrum of 1/f noise to spectrum that showed significant effects of generation-recombination mechanisms. Next important feature of deteriorated quality of investigated samples was higher increase of the noise power spectral density than 2 with increasing applied voltage. Structural and chemical analyses showed diffusion of metal material and trace elements deeper to the crystal bulk. Part of this work is also focused on surface modification by argon ion beam and its effect on chemical and morphological properties of the surface.
|
|
|
Analýza a modifikace tenkých vrstev pomocí iontových svazků
Jonner, Jakub ; Lörinčík, Jan (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá analýzou a modifikací tenkých vrstev pomocí iontových svazků. První část diplomové práce nabízí úvod do teorie interakce iontů s pevnou látkou. Druhá část diplomové práce se věnuje hmotnostní spektroskopii sekundárních iontů (SIMS) a spektroskopii rozptylu iontů nízkých energií (LEIS). Tato práce poskytuje nejen základní informace o těchto dvou metodách, ale zabývá se také výhodami plynoucími z jejich spojení v paralelním módu hloubkového profilování. Tyto výhody (lepší hloubkové rozlišení LEIS profilů, kvantifikace metody SIMS) jsou demonstrovány na příkladu měření MoSi multivrstev. V rámci této diplomové práce byl také navrhnut nový UHV manipulátor, vybavený precizním krokovým UHV motorkem, který umožňuje, díky svým kompaktním rozměrům, pohodlnější a přesnější manipulaci paletky se vzorkem v omezeném prostoru UHV komory. Třetí část diplomové práce se zabývá možností transformace krystalové struktury metastabilních Fe vrstev na Cu(100) svazkem Ar+ iontů. Fe vrstvy s metastabilní fcc strukturou byly připraveny napařováním Fe v atmosféře CO (u 22 monovrstev tlustých Fe vrstev) a napařováním Fe spolu s invarem - Fe64Ni36 (u 44 monovrstev tlustých Fe vrstev). Změny krystalové struktury jsou studovány pomocí rastrovacího tunelového mikroskopu a pomocí difrakce pomalých elektronů. Tato práce se zaměřuje zejména na určení vlivu různých energií iontů a různých iontových dávek na tvorbu a růst bcc nanokrystalů, jejich konečný tvar a velikost. U Fe vrstev napařených spolu s invarem se pak tato práce zaměřuje na stanovení procentuálního množství Ni v Fe vrstvě potřebného pro depozici Fe vrstev s metastabilní fcc strukturou.
|
|
|
Modernizace UHV manipulátoru pro metody SIMS a LEIS
Dao, Tomáš ; Polčák, Josef (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce pojednává o konstrukci manipulátoru pracujícího v podmínkách ultravysokého vakua. První část práce je věnována původnímu návrhu manipulátoru se šesti stupni volnosti, jeho provedení a realizaci. Druhá část se zabývá úpravami manipulátoru. Diskutovány jsou výhody a nevýhody konstrukčních řešení a na základě provozu jsou navrženy úpravy manipulátoru a příslušenství. Hlavní pozornost je věnována návrhu řešení rotace vzorku pomocí krokového motorku pracujícího přímo v ultravysokém vakuu. V rámci úprav je také navržena a testována nová Faradayova sonda pro použití na manipulátoru. V poslední části je s využitím manipulátoru provedena strukturní analýza metodou LEIS ověřující funkčnost a spolehlivost komponent manipulátoru.
|
|
|
Tomografická analýza polovodičových struktur metodou FIB-SIMS
Mičulka, Martin ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
Práce se zabývá tomografickou analýzou struktury prokovů pomocí metody FIB-SIMS pro elektrotechnický průmysl. Pomocí fokusovaného iontového svazku dochází v řezech k odprašování materiálu ze vzorku, což umožňuje odhalit vnitřní struktury k povrchovému zkoumání pomocí TOF-SIMS. Vzniká takto sekvence 2D snímků z jednotlivých řezů vzorkem, která je použita k tomografické rekonstrukci struktury prokovu. Je pojednáváno o optimalizaci metody FIB-SIMS aplikováním kyslíkového iontového svazku pro zvýšení iontového výtěžku a redukci artefaktů. Práce taky pojednává o pozorované nestabilitě emisního proudu bismutových iontů ze zdroje LMIS.
|
|
| |
|
|
Correlative tomography
Vařeka, Karel ; Touš,, Jan (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
The presented master’s thesis deals with a correlative approach towards multiscale and multimodal analysis of through-silicon-via structures. The research is part of an international project concerning a failure characterization of said structures and implemented semiconductor devices. Correlative microscopy and tomography techniques of NanoXCT, FIB-SEM (EDS), FIB-SIMS, and AFM were proposed to establish a workflow of measurements. Focused ion beam tomography is a method of precise serial sectioning and obtaining valuable high-resolution images (FIB-SEM) or chemical composition maps (FIB-SIMS) at each cross-section. The following image registration shows the possibility of identifying defects as a function of structure depth. Additionally, the thesis outlines methods of image fusion of high-resolution and spectral images to most appropriately demonstrate the obtained data.
|
|
|
Analýza pokročilých materiálů a struktur metodou SIMS
Holeňák, Radek ; Kalousek, Radek (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
Bakalářská práce se zabývá studiem pokročilých materiálů metodou SIMS a možnostem kvantitativní analýzy pomocí dat získaných z měření. Byla provedena chemická analýza povrchu keramiky s cílem optimalizace podmínek měření. Zbytek práce využívá datový výstup z měření pro popsání vnitřní mikrostruktury materiálu. Pomocí sofistikovaných metod jsou lokalizovány a popsány Si precipitáty ve vrstvě AlSi a ověřena formace fáze MgAl2O4 ve vzorcích keramiky. Dosažení všech stanovených cílů odhaluje potenciál metody SIMS a především možnosti ve zpracování datového výstupu z měření.
|
|
|
2D a 3D analýza polovodičových struktur metodou SIMS
Vařeka, Karel ; Šamořil, Tomáš (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
Chemická analýza polovodičových struktur pomocí metody SIMS je hlavní náplní této bakalářské práce. Umožňuje hloubkové profilování a vytváření 2D či 3D snímků materiálů. Během zkoumání čipu z polovodiče TIGBT dochází k odprašování heterogenní struktury s různou rychlostí odprašování jednotlivých částí. Ukázalo se jako výhodné provést řez tímto vzorkem pomocí fokusovaného iontového svazku tak, aby vznikl profil umožňující provedení tomografického měření. Tato nově vzniklá plocha zaručuje chemickou analýzu profilu polovodičových struktur bez nutnosti odprašování v dynamickém SIMS módu. Rekonstrukcí jednotlivých dvourozměrných snímků lze sestavit 3D obrazec analyzované části vzorku. Byla provedena i příprava a vyjmutí lamely z čipu TIGBT za účelem analýzy detektorem prošlých elektronů.
|
host ::
RSS.